 |
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Moscú, 20 de mayo, RIA Novosti. Científicos estadounidenses elaboraron un nuevo método asequible de fabricación del arseniuro de galio (GaAs), un semiconductor más provechoso que el tradicional silíceo por muchos parámetros, reveló hoy la revista Nature. En el artículo de los autores del hallazgo se explica que el método puede ser aplicado para la creación de la nueva generación de muchos dispositivos, incluidas las baterías solares de alta eficacia. El arseniuro de galio es un semiconductor que se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas. Las propiedades físicas y químicas, así como la carestía del GaAs impiden su uso masivo, frente a otros semiconductores, como, por ejemplo, el silicio. Asimismo, científicos estadounidenses de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign, encabezados por John Rogers, crearon una tecnología que permite saltarse una de las etapas más caras de la fabricación del GaAs. El método consiste en la reducción del grosor del semiconductor que suele ser producido en placas espesas. Mientras, para las baterías solares es suficiente un semiconductor muy fino. |
 especiales de actualidad
Otros |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
| ||
|
||
Corea del Sur halla prueba concluyente de que su buque fue hundido por torpedo norcoreano
